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參加第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會(huì )議

發(fā)布時(shí)間：

2018-07-27

概要：

2018年7月9號參加了在北京舉辦的第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會(huì )議，本次會(huì )議由中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學(xué)會(huì )發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議,此次會(huì )議主要圍繞寬禁帶半導體材料生長(cháng)技術(shù)、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流。

   2018年7月9號參加了在北京舉辦的第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料會(huì )議，本次會(huì )議由中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng )新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學(xué)會(huì )發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì )議,此次會(huì )議主要圍繞寬禁帶半導體材料生長(cháng)技術(shù)、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流。

本次會(huì )議涉及的報告內容較多、領(lǐng)域較廣，為了掌握本專(zhuān)業(yè)的知識，同時(shí)了解客戶(hù)端的需要有針對地聆聽(tīng)以下主要報告:

1、寬禁帶碳化硅半導體晶體研究及產(chǎn)業(yè)化------陳小龍

2、SiC器件在軌道交通中的應用前景------劉國友

3、X射線(xiàn)在碳化硅晶體檢測中的實(shí)際應用------甄 偉

4、4H-SiC中三角形缺陷結構及成因研究進(jìn)展-----孫國勝

5、4H-SiC功率DMOSFETS的進(jìn)展------柏松

6、降低4H-SiC外延層中的形態(tài)缺陷-------李忠輝

7、SiC器件在未來(lái)電網(wǎng)中的應用--------邱宇峰

8、SiC電力半導體器件在電動(dòng)汽車(chē)上的應用-------濱田公守

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